[发明专利]用于制造具有薄层覆盖件的微机械构件的方法

权利要求书

1、一种用于制造具有由硅制成的盖层的、微机械构件的方法，具有至少下面的步骤：

-在一个衬底(1)上沉积一硅锗-填充层(4)，

-在该硅锗-填充层(4)上沉积一硅-盖层(7)，

-在该硅-盖层(7)中产生直径在纳米范围中的一些微孔，由此产生一个多孔的硅-盖层(9)，

-通过用被引导穿过所述微孔的ClF₃进行的气相蚀刻去除所述硅锗-填充层(4)，其中，这样调节ClF₃-蚀刻参数和填充层(4)的Si_1-xGe_x组分，使得相对于所述多孔的硅-盖层(9)的选择性足够大，以便不侵蚀该硅-盖层，

-通过在所述多孔的硅-盖层(9)上沉积一个封闭层(13)来密封所述微孔。

2、一种用于制造具有由硅制成的盖层的微机械的构件的方法，具有至少下面的步骤：

-在一个衬底(1)上沉积一个硅锗-填充层(4)并且构造一个富锗层(5)，其中，该富锗层或者通过硅锗-填充层(4)的向上增长的锗浓度梯度形成，或者通过在硅锗-填充层(4)上沉积一个附加的锗-层(5)形成，

-在富锗层(5)上沉积一个硅-盖层(7)，

-在该硅-盖层(7)中并且在富锗层(5)中产生直径在纳米范围内的一些微孔，由此产生多孔的层(9、10)，

-热氧化这些多孔的层(9、10)并且接着通过氧化物溶解-过程来去除所述多孔的富锗层(10)的氧化物，

-通过用被引导穿过所述微孔的ClF₃进行的气相蚀刻去除所述硅锗-填充层(4)和富锗层(5、10)，

-通过在所述多孔的硅-盖层(11)上沉积一个封闭层(13)来密封所述微孔。

3、根据权利要求2的方法，其特征在于，所述富锗层(5、10)的厚度为大约30至100nm。

4、根据权利要求2或3的方法，其特征在于，所述热氧化在大约200至400摄氏度的温度中进行。

5、根据权利要求2至4之一的方法，其特征在于，所述富锗层(10)的氧化物溶解在水或者水蒸汽中。

6、根据权利要求1至5之一的方法，其特征在于，在沉积硅锗-填充层(4)之前在待露出的微机械的结构(2)下面施加一个硅锗-牺牲层(3)；将该硅锗-牺牲层和硅锗填充层(3、4)在一个步骤中蚀刻掉并且使所述结构(2、12)露出。

7、根据权利要求1至5之一的方法，其特征在于，所述硅锗-填充层(4)的沉积在已经借助于一个不是由硅锗构成的牺牲层露出的微机械的结构(12)上进行。

8、根据权利要求1至7之一的方法，其特征在于，所述微孔的直径在2至20nm的范围中。

9、根据权利要求8的方法，其特征在于，所述封闭层(13)的厚度为大约100nm。

10、根据权利要求1至9之一的方法，其特征在于，所述微孔通过电化学蚀刻或者通过无电流的染色腐蚀过程产生。