[发明专利]热光移相器及其制造方法无效
| 申请号： | 200780038861.7 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101529312A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 高桥森生 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明示例性方面的一种热光移相器(200)，包括：衬底(201)；形成在该衬底(201)上的牺牲层(202)；形成在该牺牲层(202)上的第一包覆层(203)，该第一包覆层(203)的薄膜密度高于该牺牲层(202)的薄膜密度；形成在该第一包覆层(203)上的光波导芯(204)；设在该第一包覆层(203)之上以覆盖该光波导芯(204)的第二包覆层(205)；设于直接位于该光波导芯(204)的该第二包覆层(205)的一个区域内的热生成加热器(206)；和形成在该光波导芯(204)侧面区域中的凹槽(207)，所述凹槽(207)从该第二包覆层(205)的表面延伸至该衬底(201)的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 移相器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热光移相器，包括：衬底；牺牲层，所述牺牲层形成在所述衬底上方；第一包覆层，所述第一包覆层形成在所述牺牲层上方，所述第一包覆层的薄膜密度高于所述牺牲层的薄膜密度；光波导芯，所述光波导芯形成在所述第一包覆层上方；第二包覆层，所述第二包覆层设在所述第一包覆层之上以覆盖所述光波导芯；热生成加热器，设于直接位于所述光波导芯上方的所述第二包覆层的一个区域内；和形成在所述光波导芯侧面区域中的凹槽，所述凹槽从所述第二包覆层的表面延伸至所述衬底的表面。
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