[发明专利]使用非易失性纳米管块的存储元件和交叉点开关及其阵列有效
申请号: | 200780035300.1 | 申请日: | 2007-08-08 |
公开(公告)号: | CN101541489A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | C·L·伯廷;X·M·H·黄;T·鲁克斯;R·斯瓦拉贾 | 申请(专利权)人: | 南泰若股份有限公司 |
主分类号: | B28B1/00 | 分类号: | B28B1/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在一方面下,包覆纳米管开关包括:(a)包括未对齐的多个纳米管的纳米管元件,该纳米管元件具有顶面、底面及侧面;(b)与该纳米管元件接触的第一及第二导电端子,其中该第一端子置于且实质上覆盖该纳米管元件的整个顶面,且其中该第二端子至少接触该纳米管元件的底面的一部分;及(c)控制电路可向该第一及第二端子施加电刺激。响应于该控制电路向该第一及第二端子施加相应的多个电刺激,该纳米管元件可在多个电子状态之间切换。对每一不同的电子状态而言,该纳米管元件提供该第一及第二端子之间的具有不同电阻的电气路径。 | ||
搜索关键词: | 使用 非易失性 纳米 存储 元件 交叉点 开关 及其 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种包覆纳米管开关,包括:(a)纳米管元件,包括未对齐的多个纳米管,该纳米管元件具有一顶面、一底面及多个侧面;(b)第一及第二导电端子,其与所述纳米管元件接触,其中所述第一导电端子置于且实质上覆盖所述纳米管元件的整个顶面,且其中所述第二导电端子至少接触所述纳米管元件的底面的一部分;及(c)控制电路,其与所述第一及第二导电端子电连通并可向其施加电刺激,其中响应于所述控制电路向所述第一及第二导电端子施加相应多个电刺激,所述纳米管元件可在多个电子状态之间切换,及其中对多个电子状态的每一不同电子状态而言,所述纳米管元件提供所述第一与第二导电端子之间具有相应不同电阻的电气路径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南泰若股份有限公司,未经南泰若股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780035300.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制品
- 下一篇:用于去屑加工的刀具及其基体