[发明专利]使用非易失性纳米管块的存储元件和交叉点开关及其阵列

说明书

相关申请参考

本申请要求保护下列申请的美国专利法§119(e)下的利益，其全部 内容通过引用结合于此：

2007年3月16日提交的美国临时专利申请No.60/918,388，题为″使用 非易失性纳米管区块的存储器存储元件与交叉点开关及其阵列″(“Memory  Elements and Cross Point Switches and Arrays of Same Using Nonvolatile  Nanotube Blocks”)；

2006年10月27日提交的美国临时专利申请No.60/855,109，题为″非 易失性纳米管区块″(“Nonvolatile Nanotube Blocks”)；

2006年8月28日提交的美国临时专利申请No.60/840,586，题为″非易 失性纳米管二极管″(“Nonvolatile Nanotube Diode”)；

2006年8月8日提交的美国临时专利申请No.60/836,437，题为″非易 失性纳米管二极管″(“Nonvolatile Nanotube Diode”)；

2006年8月8日提交的美国临时专利申请No.60/836,343，题为″作为 电子熔丝替换组件的可缩放非易失性纳米管开关″(“Scalable Nonvolatile  Nanotube Switches as Electronic Fuse Replacement Elements”)；

本申请为下列申请的继续申请，并要求美国专利法§120下的优先权， 其全部内容通过引用结合于此：

2005年11月15日提交的美国专利申请No.11/280,786，题为″双端子 纳米管器件与系统及其制造方法″(“Two-Terminal Nanotube Devices And  Systems And Methods Of Making Same”)；

2005年11月15日提交的美国专利申请No.11/274,967，题为″使用具 有可改编程电阻的纳米管的存储器阵列″(“Memory Arrays Using Nanotube  Articles With Reprogrammable Resistance”)；及

2005年11月15日提交的美国专利申请No.11/280,599，题为″使用纳 米管开关的非易失性阴影闩″(“Non-Volatile Shadow Latch Using A Nanotube Switch”)。

本申请相关于下列同时提交的申请，其全部内容通过引用结合于此：

美国专利申请No.(待宣布)，题为″具可缩放双端子纳米管开关的非 易失性阻性存储器″(“Nonvolatile Resistive Memories Having Scalable  Two-Terminal Nanotube Switches”)；

美国专利申请No.(待宣布)，题为″作为电子熔丝替换元件的具可缩 放非易失性纳米管开关的闩锁电路及操作电路″(“Latch Circuits and  Operation Circuits Having Scalable Nonvolatile Nanotube Switches as  Electronic Fuse Replacement Elements”)；

美国专利申请No.(待宣布)，题为″非易失性纳米管二极管与非易失 性纳米管区块及其系统与其制造方法″(“Nonvolatile Nanotube Diodes and  Nonvolatile Nanotube Blocks and Systems Using Same and Methods of  Making Same”)；

美国专利申请No.(待宣布)，题为″非易失性纳米管二极管与非易失 性纳米管区块及其系统与其制造方法″(“Nonvolatile Nanotube Diodes and  Nonvolatile Nanotube Blocks and Systems Using Same and Methods of  Making Same”)；