[发明专利]使用具有永磁体的磁透镜层的电子柱有效
| 申请号： | 200780033271.5 | 申请日： | 2007-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101512717A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 金浩燮 | 申请（专利权）人： | 电子线技术院株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/14 | 分类号： | H01J37/14 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周建秋;王凤桐 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此公开了使用磁透镜层的电子柱。该电子柱包括使用永磁体聚集电子束的磁透镜层。所述磁透镜层包括支撑板、穿过支撑板形成的孔、以及沿孔排列并布置在支撑板上或插入支撑板中的永磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 永磁体 透镜 电子 | ||
【主权项】：
1、一种电子柱，该电子柱包括：用于聚集电子束的具有永磁体的磁透镜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子线技术院株式会社，未经电子线技术院株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780033271.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于改善碳化硅MOSFET中反型层迁移率的方法
- 下一篇：电力负载保护装置
