[发明专利]对于快闪存储器中的循环效应的伪随机及命令驱动位补偿及其方法有效

专利信息
申请号: 200780032732.7 申请日: 2007-09-07
公开(公告)号: CN101512668A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 李彦;玉品·卡温·方;尼玛·穆赫莱斯 申请(专利权)人: 桑迪士克股份有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/10;G11C16/20;G11C7/10;G11C7/02;G11C7/20
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在快闪存储器EEPROM内容易实施的随机化减少了因特定数据模式的重复且长期的存储而导致的NAND串电阻效应、编程干扰、用户读取干扰及浮动栅极到浮动栅极耦合。在不同实施例中,所述随机化可为由码产生的伪随机化或由用户驱动的随机化。定时无法被预测的由用户驱动的命令可用来触发和实现高级随机化。随机地改变数据的编码方案防止了特定数据模式的重复且长期的存储。即使用户希望长期存储相同信息,或重复存储所述信息,也将用不同的编码方案来随机地编码所述信息,且因此将变更数据模式。
搜索关键词: 对于 闪存 中的 循环 效应 随机 命令 驱动 补偿 及其 方法
【主权项】:
1. 一种包括快闪存储器EEPROM的存储装置,所述EEPROM包括:快闪存储器阵列,其包括隐藏区域和用户数据区域;以及外围电路,其包括多位寄存器,其中多位码存储在所述寄存器中,所述码的每一位在与一页数据的页地址比较时可操作以反转所述页的编码方案或使所述编码方案保持原样。
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