[发明专利]膜形成用材料、以及含硅绝缘膜及其形成方法无效

专利信息
申请号: 200780030018.4 申请日: 2007-08-14
公开(公告)号: CN101528874A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 秋山将宏;中川恭志;小久保辉一 申请(专利权)人: JSR株式会社
主分类号: C09D183/00 分类号: C09D183/00;C23C16/06;H01L21/312
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 左嘉勋;刘继富
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种含硅膜形成用材料,含有右述通式(1)所示的有机硅烷化合物。(式中,R1~R4相同或不同,表示氢原子、碳原子数1~4的烷基、乙烯基、苯基,R5表示碳原子数1~4的烷基、乙酰基、苯基,n表示1~3的整数,m表示1~2的整数。)
搜索关键词: 形成 用材 以及 绝缘 及其 方法
【主权项】:
1.一种含硅膜形成用材料,含有下述通式(1)所示的有机硅烷化合物,式中,R1~R4相同或不同,表示氢原子、碳原子数1~4的烷基、乙烯基、苯基,R5表示碳原子数1~4的烷基、乙酰基、苯基,n表示1~3的整数,m表示1~2的整数。
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