[发明专利]Cu-Mn合金溅射靶及半导体布线有效
| 申请号： | 200780022581.7 | 申请日： | 2007-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101473059A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 入间田修一;宫田千荣 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/3205;H01L21/285;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种Cu-Mn合金溅射靶，其特征在于，含有Mn 0.05～20重量％，Be、B、Mg、Al、Si、Ca、Ba、La、Ce的总量为500重量ppm以下，余量为Cu及不可避免的杂质。本发明还提供一种半导体用铜合金布线及用于形成该布线的溅射靶以及半导体用铜合金布线的形成方法，所述半导体用铜合金布线本身具有自扩散抑制功能，能够有效地防止由活性Cu的扩散而引起的布线周围的污染，另外，其抗电迁移(EM)性、耐腐蚀性等提高，能够任意且容易地形成阻挡层，并且能够简化半导体用铜合金布线的成膜工序。 | ||
| 搜索关键词： | cu mn 合金 溅射 半导体 布线 | ||
【主权项】：
1. 一种Cu-Mn合金溅射靶，其特征在于，含有Mn 0.05～20重量％，Be、B、Mg、Al、Si、Ca、Ba、La、Ce的总量为500重量ppm以下，余量为Cu及不可避免的杂质。
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