[发明专利]Cu-Mn合金溅射靶及半导体布线有效
| 申请号： | 200780022581.7 | 申请日： | 2007-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101473059A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 入间田修一;宫田千荣 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/3205;H01L21/285;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu mn 合金 溅射 半导体 布线 | ||
【权利要求书】：
1.一种Cu-Mn合金溅射靶，其特征在于，含有Mn 0.05～20重量 ％，比Mn更容易形成氧化物的Be、B、Mg、Al、Si、Ca、Ba、La、 Ce的总量为500重量ppm以下，余量为Cu及不可避免的杂质，并且， 将由EBSP测得的最密的(111)面均匀地分布于各方向时的靶表面的面 积比设定为1时，靶表面的(111)面的面积比为4以下。
2.如权利要求1所述的Cu-Mn合金溅射靶，其特征在于，Be、B、 Mg、Al、Si、Ca、Ba、La、Ce的总量为50重量ppm以下。
3.如权利要求1所述的Cu-Mn合金溅射靶，其特征在于，Be、B、 Mg、Al、Si、Ca、Ba、La、Ce的总量为10重量ppm以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的Cu-Mn合金溅射靶，其特征 在于，氧含量为100重量ppm以下。
5.如权利要求1～3中任一项所述的Cu-Mn合金溅射靶，其特征 在于，氧含量为50重量ppm以下。
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