[发明专利]封装的等离子敏感性器件的制造方法无效
| 申请号： | 200780018584.3 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101507011A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | L·莫洛;X·初;M·P·罗森布朗姆;K·J·尼尔森;P·E·伯罗斯;M·E·格劳斯;M·R·扎姆豪弗;P·M·玛丁;C·C·伯恩哈姆;G·L·格拉夫 | 申请（专利权）人： | VITEX系统公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王 健 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 封装的等离子敏感性器件的制造方法。该方法包括：提供与基材相邻的等离子敏感性器件；使用选自非等离子基方法或改进的溅镀方法的方法在该等离子敏感性器件上沉积等离子保护层；和沉积与该等离子保护层相邻的至少一个阻隔堆叠体，该至少一个阻隔堆叠体包括至少一个去耦层和至少一个阻隔层，该等离子敏感性器件被封装在该基材和至少一个阻隔堆叠体之间，其中该去耦层、阻挡层或两者是使用等离子方法沉积的，与没有用该等离子保护层制造的封装等离子敏感性器件相比该封装等离子敏感性器件具有减少量的由该等离子所引起的破坏。还描述了封装的等离子敏感性器件。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 等离子 敏感性 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 封装的等离子敏感性器件的制造方法，包括：提供与基材相邻的等离子敏感性器件；使用选自非等离子基方法或改进的溅镀方法的方法在该等离子敏感性器件上沉积等离子保护层；和沉积与该等离子保护层相邻的至少一个阻隔堆叠体，该至少一个阻隔堆叠体包括至少一个去耦层和至少一个阻隔层，该等离子敏感性器件被封装在该基材和至少一个阻隔堆叠体之间，其中该去耦层、阻隔层或两者是使用等离子方法沉积的，与没有用该等离子保护层制造的封装等离子敏感性器件相比，该封装等离子敏感性器件具有减少量的由等离子所引起的破坏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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