[发明专利]有机电子器件的制备方法及用该方法制备的有机电子器件有效
| 申请号： | 200780016582.0 | 申请日： | 2007-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101438627A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 李政炯;金正凡 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱 梅;黄丽娟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括在基板上依次层叠由金属制成的第一电极、一层或多层有机材料层和第二电极的步骤的有机电子器件的制备方法及用该方法制备的有机电子器件，其中，所述方法包括以下步骤：1)在形成所述有机材料层之前，用氧化速率比第一电极高的金属在第一电极上形成层；2)用氧等离子体处理所述用氧化速率比第一电极高的金属形成的层以形成金属氧化层；和3)用惰性气体等离子体处理所述金属氧化层以除去在第一电极上的本征氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 电子器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种通过在基板上依次层叠由金属制成的第一电极、一层或多层有机材料层和第二电极来制备有机电子器件的方法，其中，该方法包括以下步骤：1)在形成所述有机材料层之前，用氧化速率比第一电极高的金属在第一电极上形成层；2)用氧等离子体处理所述用氧化速率比第一电极高的金属形成的层以形成金属氧化层；和3)用惰性气体等离子体处理所述金属氧化层以除去在第一电极上的本征氧化层。
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