[发明专利]有机电子器件的制备方法及用该方法制备的有机电子器件

权利要求书

1.一种通过在基板上依次层叠由金属制成的第一电极、一层或多层有机材料层和第二电极来制备有机电子器件的方法，其中，该方法包括以下步骤：

1)在形成所述有机材料层之前，用氧化速率比第一电极高的金属在第一电极上形成层；

2)用氧等离子体处理所述用氧化速率比第一电极高的金属形成的层以形成金属氧化层；和

3)用惰性气体等离子体处理所述金属氧化层以除去在第一电极上的本征氧化层。

2.根据权利要求1所述的制备有机电子器件的方法，其中，第一电极由选自由铝、钼、铬、镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、银、锡、铅及其合金组成的组中的材料形成。

3.根据权利要求1所述的制备有机电子器件的方法，其中，所述氧化速率比第一电极高的金属选自碱金属、碱土金属及其混合物中。

4.根据权利要求1所述的制备有机电子器件的方法，其中，所述通过用氧化速率比第一电极高的金属形成的层的形成厚度为1～10nm。

5.根据权利要求1所述的制备有机电子器件的方法，其中，采用遮光掩膜使所述通过用氧化速率比第一电极高的金属形成的层仅在第一电极表面的选择区域上形成。

6.根据权利要求1所述的制备有机电子器件的方法，其中，所述惰性气体为氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)或氡(Rn)。

7.根据权利要求1所述的制备有机电子器件的方法，其中，所述氧等离子体处理的条件是RF功率为60～100W，氧气流动速率为20～50sccm，压力为10～20毫托以及时间为30～100秒。

8.根据权利要求1所述的制备有机电子器件的方法，其中，所述惰性气体等离子体处理的条件是RF功率为300～600W，惰性气体流动速率为5～20sccm，压力为5～20毫托以及时间为200～500秒。

9.根据权利要求1所述的制备有机电子器件的方法，其中，所述有机电子器件为有机发光器件。

10.根据权利要求9所述的制备有机电子器件的方法，其中，第一电极为阳极，而第二电极为阴极。

11.根据权利要求9所述的制备有机电子器件的方法，其中，第一电极为阴极，而第二电极为阳极。

12.根据权利要求9所述的制备有机电子器件的方法，其中，所述有机材料层包括选自由发光层、电子传输层、电子注入层、空穴注入层和空穴传输层组成的组中的一层或多层。

13.根据权利要求9所述的制备有机电子器件的方法，其中，在所述有机材料层中，与所述通过用氧化速率比第一电极高的金属形成的层接触的层为电子注入层或空穴注入层。

14.根据权利要求9所述的制备有机电子器件的方法，其中，所述有机发光器件为顶部发光型或双面发光型。

15.根据权利要求1所述的制备有机电子器件的方法，其中，所述有机电子器件为有机薄膜晶体管，第一电极为栅极，且第二电极包括源极和漏极。

16.根据权利要求1所述的制备有机电子器件的方法，其中，所述有机电子器件为有机太阳能电池，且所述有机材料层包括电子给体层和电子受体层。

17.一种有机电子器件，其具有由金属制成的第一电极、一层或多层有机材料层和第二电极依次层叠的构造，其中，在形成第一电极之后和在形成所述有机材料层之前，用氧化速率比第一电极高的金属形成层，并且用氧等离子体和惰性气体等离子体依次处理该形成的层以除去第一电极上的本征氧化层。

18.根据权利要求17所述的有机电子器件，其中，第一电极由选自由铝、钼、铬、镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、银、锡、铅或其合金组成的组中的材料形成。

19.根据权利要求17所述的有机电子器件，其中，所述氧化速率比第一电极高的金属选自碱金属、碱土金属及其混合物中。

20.根据权利要求17所述的有机电子器件，其中，所述通过用氧化速率比第一电极高的金属形成的层的形成厚度为1～10nm。

21.根据权利要求17所述的有机电子器件，其中，所述惰性气体为氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)或氡(Rn)。