[发明专利]用于低k或者超低k级间电介质图案转移的结构和方法

摘要

本发明涉及用于在低k或者超低k(即具有范围从约1.5到约3.5的介电常数)级间电介质(ILD)材料中形成互连图案的改进方法和结构。具体而言，起初使用减少的光刻关键尺度(CD)(即与目标CD相比)来形成厚度增加的图案化的抗蚀剂层，这又允许将包括下方氮化物掩模层和上方氧化物掩模层的简单硬掩模叠层用于后续的图案转移。接着通过使用含氧化学物的第一反应离子蚀刻(RIE)工艺来图案化该硬掩模叠层以形成具有与目标CD基本上相同的恢复CD的硬掩模开口。然后通过使用含氮化学物的第二RIE工艺来图案化ILD材料以形成具有目标CD的互连图案。

主权项

1.一种用于在级间电介质结构中形成目标关键尺度的互连图案的方法，所述方法包括：形成包括一个或者多个级间电介质层的级间电介质结构，各级间电介质层具有范围从约1.5到约3.5的介电常数；在所述级间电介质结构之上形成硬掩模叠层，其中所述硬掩模叠层包括下方氮化物掩模层和上方氧化物掩模层；在所述硬掩模叠层之上形成抗蚀剂层；图案化所述抗蚀剂层以形成关键尺度比所述目标关键尺度小约5nm到约30nm的一个或者多个抗蚀剂开口；通过所述抗蚀剂开口图案化所述硬掩模叠层以形成一个或者多个硬掩模开口，其中所述硬掩模开口具有所述目标关键尺度；以及通过所述硬掩模开口图案化所述级间电介质结构以形成与所述硬掩模开口对准并且由此也具有所述目标关键尺度的互连图案。