[发明专利]具有降低的本体电位的SOI晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 200780014947.6 | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101432886A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | J·亨奇尔;A·魏;J·布鲁姆奎斯特;M·霍斯特曼 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过将原子物种(11IB)，例如，碳、氟、及类似者，引入至漏极与源极区(115，206)中及本体区(107，207)中，SOI晶体管(110，210M)之接面漏电(junction leakage)可显著地增加，因而对聚积之少数电荷载子提供增进的漏电路径(119，219A)。因此，本体电位之变动可显著地减少，因而改善先进之SOI器件(100)之整体效能。于特定实施例中，该机制可被选择性地应用在临界电压灵敏(threshold voltage sensitive)器件区域，例如，静态随机存取内存(static RAM)区域(250M)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 本体 电位 soi 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：提供非掺杂原子物种(111B)至形成于衬底(101)上方的第一SOI晶体管(110)的漏极与源极区域(106)中以及至少部分本体区域(107)中；通过注入一种或多种掺杂物种，于该漏极与源极区域(106)中形成漏极与源极区(112、115)；以及将该漏极与源极区(112、115)退火，以实质上将该漏极与源极区(112、115)中的注入引发的晶体损坏再结晶，该非掺杂原子物种(111B)提供自该本体区(107)到该漏极与源极区(112、115)的增加的漏电路径。
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