[发明专利]SOI晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200780014472.0 | 申请日： | 2007-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101427347A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 吉田和彦;松峰昌男;竹野博 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L21/322 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;马少东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种SOI晶片的制造方法，其至少具备从基体晶片或接合晶片的任一方的表面，离子注入在硅中为非电活性的中性元素而形成离子注入损伤层的工序，上述离子注入损伤层形成工序中的中性元素的离子注入，是将掺杂量设为1×1012atoms/cm2以上而未满1×1015atoms/cm2来进行。由此，提供一种SOI晶片的制造方法，可抑制漏泄电流的发生、氧化膜耐压恶化等，并具有充分的吸杂能力。 | ||
| 搜索关键词： | soi 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种SOI晶片的制造方法，其特征为：至少具备：准备由单晶硅所构成的基体晶片和接合晶片的工序；在上述基体晶片和上述接合晶片的至少其中一方的表面，形成绝缘膜的工序；从上述基体晶片或上述接合晶片的至少其中一方的表面，离子注入在硅中为非电活性的中性元素，形成离子注入损伤层的工序；以上述离子注入后的表面作为贴合面，隔着上述绝缘膜，贴合上述基体晶片和上述接合晶片的工序；以及使贴合后的上述接合晶片薄膜化的工序；其中，上述离子注入损伤层形成工序中的中性元素的离子注入，是将掺杂量设为1×1012atoms/cm2以上且未满1×1015atoms/cm2来进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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