[发明专利]用于通过使漏极及源极区凹陷而在晶体管中紧邻沟道区提供应力源的技术有效
| 申请号： | 200780011436.9 | 申请日： | 2007-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101416287A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | A·魏;T·卡姆勒;J·亨奇尔;M·霍斯特曼;P·亚沃尔卡;J·布鲁姆奎斯特 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/165 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 藉由使场效晶体管的漏极及源极区(114，214)凹陷(112D，212D)，可在凹处(112，212)中形成高应力层(118，218)，例如，接触蚀刻中止层，以便增进于场效应晶体管(100，200)的邻近沟道区(104，204)中的应变产生。此外，藉由减少或避免金属硅化物(217)之不当的松弛效应(relaxation effect)，可使应变半导体材料(203)位在紧邻沟道区(104，204)，从而也提供增进的应变产生效率。在一些态样中，可组合两种效果以得到甚至更有效率的应变引发机构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 使漏极 源极区 凹陷 晶体管 紧邻 沟道 提供 应力 技术 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件(150、250)，包括：第一导电性类型的第一晶体管(100、200)，该第一晶体管(100、200)包括：形成于第一沟道区(106、206)上方的第一栅极电极(105、205)；形成于该第一栅极电极(105、205)与该第一沟道区(106、206)之间的第一栅极绝缘层(104、204)；形成于邻近该第一沟道区(106、206)的第一漏极及源极区(114、214)，所述第一漏极及源极区(114、214)的顶面相对于该第一栅极绝缘层(104、204)的底面是呈凹陷的(112D、212D)；以及形成于所述第一漏极及源极区(114、214)上方的第一应力层(118、218)，该第一应力层(118、218)延伸进入由所述第一凹陷的漏极及源极区(114、214)所形成的凹处(112、212)中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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