[发明专利]用于通过使漏极及源极区凹陷而在晶体管中紧邻沟道区提供应力源的技术

权利要求书

1.一种用于形成半导体装置的方法，包括下列步骤：

在半导体层中形成邻近栅极电极结构的凹处，该栅极电极结构包括具有第一宽度的第一侧壁间隔件；

通过外延生长在该凹处中形成应变半导体材料，其中，该应变半导体材料的高度级别低于通过该栅极电极结构的栅极绝缘层界定的高度级别以便界定凹处的一部分；

移除该第一侧壁间隔件；

基于具有比该第一宽度大的第二宽度的第二侧壁间隔件，至少在该应变半导体材料中形成漏极及源极区；以及

形成在所述漏极及源极区上方的应力层，该应力层延伸进入由该应变半导体材料所界定的该凹处部分中。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：基于该第二侧壁间隔件，在该应变半导体材料中形成金属硅化物。