[发明专利]用于选择性预涂等离子处理室的方法和装置有效
| 申请号： | 200780007661.5 | 申请日： | 2007-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN101395702A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种用于选择性预涂包含室壁的等离子处理室的装置。该装置包含第一RF电极组，该第一RF电极组配置为激发第一预涂等离子，该第一RF电极组限定第一等离子室区域。该装置还包含围绕该第一RF电极组设置的第一限制环组；以及设置在该第一限制环组和该室壁之间的第二限制环组。该装置进一步包含气体传输系统，该系统配置为当传输第一预涂气体且施加能量于该第一RF电极时将第一预涂层应用至该第一等离子区域。该装置还包含该气体传输系统，该系统配置为当传输第二预涂气体且施加能量于该第二RF电极组时将第二预涂层应用至该第二等离子区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 等离子 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种用于选择性预涂包含室壁的等离子处理室的装置，包含：第一RF电极组，所述第一RF电极组配置为激发第一预涂等离子，所述第一RF电极组限定第一等离子室区域；第一限制环组，其环绕所述第一RF电极组设置；第二限制环组，其设置在所述第一限制环组和所述室壁之间；和气体传输系统，其配置为当传输第一预涂气体且施加能量于所述第一RF电极组时将第一预涂层应用至所述第一等离子区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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