[发明专利]具有可编程字长的存储器阵列及其操作方法

摘要

一种存储器单元阵列和具有存储器单元阵列的器件(即集成电路器件，例如逻辑器件(比如微控制器或微处理器)或存储器器件(比如离散存储器))包括在晶体管体中存储电荷的电浮置体晶体管以及用于读取、控制和/或操作这样的存储器单元阵列和这样的器件的技术。该存储器单元阵列和器件包括可变和/或可编程字长。字长与所选存储器单元行的所选存储器单元(经由地址数据来确定)有关。在一个实施例中，字长可以是少于或等于存储器阵列的所选行中存储器单元总数的所选行中任何存储器单元数目。在一个方面中，可以针对存储器阵列的所选行的所选存储器单元执行写入和/或读取操作，而所选行的未选存储器单元不受干扰。

主权项

1. 一种集成电路器件，包括：存储器单元阵列，包括：多个字线；多个源极线；多个位线；以及按行和列的矩阵排列的多个存储器单元，其中各存储器单元包括电浮置体晶体管，其中所述电浮置体晶体管包括：耦合到相关联的源极线的第一区域；耦合到相关联的位线的第二区域；布置于所述第一区域和所述第二区域之间的体区域，其中所述体区域是电浮置的；布置于所述体区域之上并且耦合到相关联的字线的栅极；以及其中每个存储器单元包括多个数据状态，所述多个数据状态包括：(i)第一数据状态，代表所述电浮置体晶体管的所述体区域中的第一电荷；以及(ii)第二数据状态，代表所述电浮置体晶体管的所述体区域中的第二电荷；第一电路，耦合到第一行存储器单元的每个存储器单元，以并行施加：(i)写入控制信号到所述第一行存储器单元的第一组存储器单元，以在其中写入所述多个数据状态中的一个，以及(ii)写入取消选择控制信号到所述第一行存储器单元的第二组存储器单元，以禁止在其中写入所述多个数据状态中的一个。