[发明专利]成像设备和辐射成像设备有效
申请号: | 200780003606.9 | 申请日: | 2007-01-11 |
公开(公告)号: | CN101375397A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 石井孝昌;望月千织;渡边实 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/20;G01T1/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 包括光电转换元件1、电连接到所述光电转换元件的信号传输TFT(薄膜晶体管)2、以及电连接到所述光电转换元件且用于施加偏压到所述光电转换元件的复位TFT 3的像素被二维地设置在绝缘基板上,且通过公共的接触孔9电连接光电转换元件1、信号传输TFT 2和复位TFT 3。从公共的导电层形成所述信号传输TFT 2的源极电极或漏极电极与所述复位TFT 3的源极电极或漏极电极。 | ||
搜索关键词: | 成像 设备 辐射 | ||
【主权项】:
1.一种成像设备,包含:绝缘基板;和设置在所述绝缘基板上的像素,所述像素包含:用于将光信号转换成电信号的转换元件;电连接到所述转换元件的信号传输开关;和电连接到所述转换元件并且用于施加偏压到所述转换元件的复位开关,其中,通过公共的接触孔电连接所述转换元件、所述信号传输开关和所述复位开关。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的