[实用新型]侧射型发光二极管无效

专利信息
申请号: 200720310021.9 申请日: 2007-12-04
公开(公告)号: CN201134442Y 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 陈锦庆;张正宜;林明魁;蔡志嘉 申请(专利权)人: 亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 台湾省台北县土*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种侧射型发光二极管,由基板、折射层、底面发光的发光器件与透光层所组成。该折射层载设于该基板。底面发光的发光器件面积小于该折射层的面积,并且载设于该折射层上。该透光层覆盖于该发光器件与该折射层上,发光器件通电以发出光源后,光源先向下入射于该折射层后,再自折射层向外折射至该透光层,让发光器件的正向与侧向光源一起激发,以提升整体亮度。
搜索关键词: 侧射型 发光二极管
【主权项】:
1.一种侧射型发光二极管,其特征在于,包含:一基板;一折射层,载设于该基板;一底面发光的发光器件,载设于该折射层,且该发光器件的面积小于该折射层的面积;以及一透光层,覆盖于该发光器件与该折射层上,该发光器件的光源向下入射于该折射层后,光源自该折射层再向外折射至该透光层。
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