[实用新型]一种用于等离子体反应室的升降销无效
| 申请号： | 200720181419.7 | 申请日： | 2007-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN201218899Y | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 理查德·莱温顿;迈克尔·N·格林博金;吉姆·K·尼古恩;达里恩·比文斯;马德哈唯·R·钱德拉乔德;阿杰伊·库玛 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;H05H1/24;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型描述用来蚀刻工件的用于等离子体反应器的升降销。在一个实施例中，升降销包括具有环形横截面的纵向体，该体具有圆形的第一末端和圆形的第二末端；和形成在该第二末端中的凹进区域，该凹进区域适于可分离的连接到布置在等离子体室中的升降片，其中该体包括第一直径区域并且该凹进区域包括具有较小直径的通过侧翼分开的至少两个对角区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 等离子体 反应 升降 | ||
【主权项】：
1、一种用于等离子体反应室的升降销，其特征在于，包括：具有环形横截面的纵向体，该体具有圆形的第一末端和圆形的第二末端；和在所述第二末端中形成的凹进区域，所述凹进区域适于可分离的连接到设置在等离子体室中的升降板，其中所述体包括第一直径区域，并且所述凹进区域包括具有较小直径的被侧翼分开的至少两个对角区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200720181419.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
