[实用新型]一种照明用LED芯片的结构无效
| 申请号： | 200720131927.4 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN201134439Y | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 黄振春;陈岭;史智青;洪从胜;傅凡 | 申请（专利权）人： | 江苏奥雷光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212009江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种照明用LED芯片的结构，包括垂直通孔结构的LED芯片，支持衬底和反射/欧姆/键合层键合在一起，上叠加外延层，在外延层四周垂直设置一圈深至反射/欧姆/键合层表面的凹槽，在外延层的表面上和凹槽内敷有一层荧光粉和树脂的混合层，在混合层的上表面粘合一层底面大小和外延层上表面大小一样的微透镜阵列层，该微透镜阵列层的折射率为1.5～1.55，本实用新型直接在现有的垂直通孔结构的LED芯片的外延层上进行荧光粉层和树脂的混合层以及微透镜阵列层的制造，这样可使LED在后续的封装时无需再涂荧光粉，可直接发白光，能大大减少光损，提高出光率，简化后续的封装工艺，易小型化和集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 照明 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1.一种照明用LED芯片的结构，包括垂直通孔结构的LED芯片，该芯片由支持衬底(1)和反射/欧姆/键合层(2)键合在一起，在反射/欧姆/键合层(2)上叠加外延层(11)，外延层(11)由最上层的第一类限制层(5)、中间的活化层(4)和下层的第二类限制层(3)组成，图形化电极(9)形成在第一类限制层(5)面上，半通孔/金属填充塞(10)上端连接图形化电极(9)，下端连接支持衬底(1)，其特征是：在外延层(11)四周垂直设置一圈深至反射/欧姆/键合层(2)表面的凹槽(6)，在外延层(11)的表面上和凹槽(6)内敷有一层荧光粉和树脂的混合层(8)，在混合层(8)的上表面粘合一层底面大小和外延层(11)上表面大小一样的微透镜阵列层(7)，该微透镜阵列层(7)的折射率为1.5～1.55。
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