[实用新型]一种半桥MOS栅极晶体管驱动电路无效
| 申请号： | 200720094413.6 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN201118535Y | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 王自力;孙大军;司崇占;梁一子;张海龙;王志成;赵萌 | 申请（专利权）人： | 吉林大学中日联谊医院;王自力;孙大军;梁一子 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 魏征骥 |
| 地址： | 130033吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半桥MOS栅极晶体管驱动电路，属于电子领域。高端驱动辅助电源与高端驱动电路连接，低端驱动辅助电源与低端驱动电路连接，高端驱动电路与高端MOS栅极功率开关连接，低端驱动电路与低端MOS栅极功率开关连接。优点是结构新颖，通过正负电源变换电路为高端驱动电路提供负电源，整个驱动电路仅需1路正10V～20V和1路负10V～20V和一路电源。这样，在工程上大大减少了控制变压器体积和电源数目，降低了产品成本，提高了系统可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 栅极 晶体管 驱动 电路 | ||
【主权项】：
1、一种半桥MOS栅极晶体管驱动电路，其特征在于：高端驱动辅助电源与高端驱动电路连接，低端驱动辅助电源与低端驱动电路连接，高端驱动电路与高端MOS栅极功率开关连接，低端驱动电路与低端MOS栅极功率开关连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学中日联谊医院;王自力;孙大军;梁一子，未经吉林大学中日联谊医院;王自力;孙大军;梁一子许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200720094413.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：牙嵌制动器
- 下一篇：手机来电感应手摇发电电筒
