[实用新型]LED灯大功率驱动芯片无效
| 申请号： | 200720017363.1 | 申请日： | 2007-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN200997700Y | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 李江淮 | 申请（专利权）人： | 李江淮 |
| 主分类号： | H05B33/08 | 分类号： | H05B33/08 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 高巍 |
| 地址： | 361004福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | LED灯大功率驱动芯片，VCC电源端一路经高压电流源和串联的R1、R2采样电阻连接，采样电阻另一端为公共地端GND，另一路连接MOSFET管漏极，MOSFET管源极和公共地端GND连接有Rf反馈电阻；MOSFET管栅极连接有PWM脉宽调制器，R1、R2公共连接点和PWM脉宽调制器输入端之间串联有N1、N2两级比较器，N1反相端和MOSFET管源极间连接有R3过流检测电阻，N2同相端连接有过热保护电路。用PWM脉宽调制器脉冲信号控制MOSFET功率开关管栅极电流大小，即调整脉冲的占空比大小，控制MOSFET管输出脉宽功率信号为LED灯提供恒定电流；当温度超过过热保护电路设定值时，过热保护电路输出一低电平，N2比较器输出一低电平，PWM输出脉冲占空比减小，减少MOS管的导通时间，减小输出电流，达到降低温度目的。 | ||
| 搜索关键词： | led 大功率 驱动 芯片 | ||
【主权项】：
1.LED灯大功率驱动芯片，其特征在于：VCC电源端一路经高压电流源和串联的R1、R2采样电阻连接，采样电阻另一端为公共地端GND，另一路连接MOSFET管漏极，MOSFET管源极和公共地端GND连接有Rf反馈电阻；MOSFET管栅极连接有PWM脉宽调制器，R1、R2采样电阻公共连接点和PWM脉宽调制器输入端之间串联有N1、N2两级比较器，N1的反相端和MOSFET管源极间连接有R3过流检测电阻，N2的同相端连接有过热保护电路。
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