[实用新型]LED灯大功率驱动芯片无效
申请号: | 200720017363.1 | 申请日: | 2007-01-09 |
公开(公告)号: | CN200997700Y | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
发明(设计)人: | 李江淮 | 申请(专利权)人: | 李江淮 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所 | 代理人: | 高巍 |
地址: | 361004福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 大功率 驱动 芯片 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种IC集成电路,特别是照明用的LED灯大功率驱动芯片。
背景技术
随着新材料、新工艺和新技术的应用,LED照明灯必将进入普通家庭照明领域,虽然大功率LED现在还不能大规模取代传统的白炽灯,但其在室内外装饰、特种照明方面应用广泛;大功率的LED照明灯一般由若干个LED发光二极管串联连接组成,LED发光二极管亮度是由通过的电流决定的,为保持灯光均匀且亮度不变,所有流过LED的电流保持不变,这需要很高的驱动电压,LED电流不均衡会缩短LED的使用寿命,因而需用恒流源驱动LED,而LED驱动IC实际上就是把一般的交流电源变换为恒流源;大功率LED驱动IC工作温度过高对IC内部电路及其外围工作电路会产生影响,LED灯的使用寿命和使用安全也会受影响,因而必须设计驱动IC过温保护功能。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型旨在提出一种具有恒流输出和过温保护功能的LED灯大功率驱动芯片。
本实用新型解决其问题所采用的技术方案为:LED灯大功率驱动芯片,其特征在于:VCC电源端一路经高压电流源和串联的R1、R2采样电阻连接,采样电阻另一端为公共地端GND,另一路连接MOSFET管漏极,MOSFET管源极和公共地端GND连接有Rf反馈电阻;MOSFET管栅极连接有PWM脉宽调制器,R1、R2采样电阻公共连接点和PWM脉宽调制器输入端之间串联有N1、N2两级比较器,N1的反相端和MOSFET管源极间连接有R3过流检测电阻,N2的同相端连接有过热保护电路。
MOSFET管源极和公共地端GND连接的Rf反馈电阻不封装在芯片内,由MOSFET管源极引出一输出端VBF,芯片为三端芯片,Rf反馈电阻外置方便电路电流控制,使得其外围电路扩展具有更大的灵活性,本实用新型优先采用三端芯片;MOSFET管源极和公共地端GND连接的Rf反馈电阻封装在芯片内,芯片为两端芯片,其输出电流强度为固定值,无法调整。
本实用新型的有益效果为:利用对PWM脉宽调制器的反馈控制调节MOSFET功率开关管的栅极电流大小,即调整脉冲的占空比大小,控制MOSFET管关断,实现脉宽功率信号输出,为LED灯提供恒定的驱动电流;当本新型的温度超过过热保护电路设定值时,过热保护电路输出一低电平,N2比较器输出一低电平,使PWM输出的脉冲占空比减小,减少MOS管的导通时间,从而减小输出电流,来达到降低温度的,起过热保护之作用。
附图说明
图1为本实用新型三端芯片内部电路图;
图2为本实用新型两端芯片内部电路图;
图3为本实用新型三端芯片和外围电路驱动LED灯的实施例电路图。
图中:1.芯片;2.MOSFET管;3.PWM脉宽调制器;4.比较器;5.过热保护电路;6.采样电阻;7.过流检测电阻;8.反馈电阻;9.外围电路;10.LED灯。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
如图1所示的LED灯10大功率驱动芯片1,VCC电源端一路经高压电流源和串联的R1、R2采样电阻6连接,电压经R1、R2分压取出基准电压提供给比较器4N1的同相输入端,采样电阻6另一端为公共地端GND;另一路连接MOSFET管2漏极;MOSFET管2栅极连接有PWM脉宽调制器3,R1、R2采样电阻6公共连接点和PWM脉宽调制器3输入端之间串联有N1、N2两级比较器4,N1的反相端和MOSFET管2源极间连接有R3过流检测电阻7,N2的同相端连接有过热保护电路5。MOSFET管2源极和公共地端GND连接有Rf反馈电阻8,并从管源极引出一端脚VBF,则芯片1为三端芯片1,使得其外围电路9扩展具有更大的灵活性,方便对于芯片输出电流的调整设计,本实用新型优先采用三端芯片1。如图2所示,MOSFET管2源极和公共地端GND连接的Rf反馈电阻8封装在芯片内,芯片为两端芯片,其输出电流强度为固定值。
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