[发明专利]半导体器件的金属互连的形成方法及半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件中的金属互连的形成方法及半导体器件。该形成方法为：在镶嵌工艺中，通常仅在下部金属互连上形成覆盖阻挡金属层，以防止来自该下部金属互连的原子扩散到上部介电层中。该覆盖阻挡金属层可以防止围绕该下部金属互连的下部金属间介电层的有效介电常数的增加，并且减小该金属互连的阻抗，从而提高了半导体器件的可靠性、速度和/或其它性能。

主权项

1.一种半导体器件中的互连的形成方法，该方法包括以下步骤：a.在半导体衬底上的第一介电层中的第一通孔的内壁上形成第一阻挡层，并且在该第一阻挡层上形成第一金属互连；b.在该半导体衬底上堆叠绝缘层；c.在该绝缘层中形成第一沟槽；d.在该第一沟槽的内壁上形成第二阻挡层，并且在该第二阻挡层上形成第二金属互连；e.在该第二金属互连上形成下部覆盖阻挡金属层；f.形成第二介电层；g.在该第二介电层中形成第二通孔和第二沟槽；h.在该第二通孔和该第二沟槽的内壁上形成第三阻挡层，并且在该第三阻挡层上形成上部金属互连；以及i.在该第二介电层的沟槽上形成上部覆盖阻挡金属层。