[发明专利]图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200710305918.7 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211828A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 尹基准;黃祥逸 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/71;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器的制造方法。该方法包括如下步骤。在具有光电二极管和晶体管的半导体衬底上形成滤色镜层。在滤色镜层上形成平坦化层。在平坦化层上形成LTO(低温氧化物)层。在LTO层上形成与滤色镜相对应的光致抗蚀剂图案，并实施回流工艺。在光致抗蚀剂图案和LTO层上实施反应离子蚀刻以形成微透镜阵列。在反应离子蚀刻工艺期间，在光致抗蚀剂图案和/或LTO层上实施第二次回流工艺。在本发明的图像传感器中，微透镜之间的间隙被最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的制造方法，该方法包括如下步骤：在上面具有光电二极管和晶体管的半导体衬底上形成滤色镜层；在该滤色镜层上形成平坦化层；在该平坦化层上形成低温氧化物层；在该低温氧化物层上形成光致抗蚀剂图案，并实施回流工艺；以及通过在该光致抗蚀剂图案和该低温氧化物层上实施反应离子蚀刻工艺，形成微透镜阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710305918.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集鱼灯装置
- 下一篇：光纤光栅高温高压传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
