[发明专利]一种补偿直流自偏压的方法及系统、半导体处理设备有效
| 申请号： | 200710304751.2 | 申请日： | 2007-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101470455A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 蒲春 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F1/46 | 分类号： | G05F1/46;H01L21/00;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张天舒;陈 源 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种补偿直流自偏压的方法，其包括下述步骤：1)对直流自偏压信号进行采样，以及对第一电源向静电夹持装置输出的电压信号进行采样；2)根据所述直流自偏压采样信号和第一电源电压采样信号，调节第一电源向静电夹持装置输出的电压，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。此外，本发明还提供一种补偿直流自偏压的系统，以及应用上述方法和/或系统的半导体处理设备。本发明所提供的方法及系统、以及半导体处理设备能够提高补偿直流自偏压的精度，使静电夹持装置上的晶片等半导体器件所受到的静电吸附力较为均衡，从而防止半导体器件滑落或产生位移，进而改善工艺结果，提高产品量率，同时还能够减小氦气漏率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 补偿 直流 偏压 方法 系统 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种补偿直流自偏压的方法，用于在半导体加工/处理过程中减小/消除半导体器件上直流自偏压所产生的影响，其特征在于，所述方法包括下述步骤：1)对直流自偏压信号进行采样，以及对第一电源向静电夹持装置输出的电压信号进行采样；2)根据所述直流自偏压采样信号和第一电源电压采样信号，调节第一电源向静电夹持装置输出的电压，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。
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