[发明专利]制造快闪存储器件的方法无效
| 申请号： | 200710301887.8 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101295678A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 金奭中;赵挥元;金正根;明成桓 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造快闪存储器件的方法包括，在形成隔离沟槽之后，利用具有有利的阶梯覆盖的HARP膜填隙沟槽的底面和侧壁。实施湿蚀刻工艺使得HARP膜保留在隧道介电层的侧壁上，从而形成翼形隔离物。因此，由于待后续形成的控制栅极位于浮置栅极之间，所以可以保护隧道介电层并且可以减少干扰现象。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 闪存 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造快闪存储器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成隧道介电层和电子存储层；通过蚀刻所述电子存储层、所述隧道介电层、和所述半导体衬底的一部分形成沟槽；形成绝缘层使得所述沟槽被填隙；和蚀刻所述绝缘层的上表面以控制有效场高度(EFH)，其中所述绝缘层保留在所述隧道介电层的侧壁上，由此形成翼形隔离物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
