[发明专利]进行电压比较,防止电压比较精度恶化的半导体集成电路有效
| 申请号： | 200710300950.6 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101267193A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 富泽淳;西川和康 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K5/08 | 分类号： | H03K5/08;H03F3/45;H03F3/34;H03F1/30;H03M1/34;H03M1/36;H03M1/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种进行电压比较，防止电压比较精度恶化的半导体集成电路，该半导体集成电路(101)具备：接收第1输入电压以及第2输入电压的差动放大电路(A1)；通过对经由第1电容器(C1P)从差动放大电路(A1)的第1输出端子接收到的电压以及经由第2电容器(C1N)从差动放大电路(A1)的第2输出端子接收到的电压进行比较，输出表示第1输入电压以及第2输入电压的比较结果的数字信号的闩锁电路(U1)；具有与第1电容器(C1P)的第2端子耦合的第1端子，以及与第2电容器(C1N)的第2端子耦合的第2端子的第3电容器(CZ1)。 | ||
| 搜索关键词： | 进行 电压 比较 防止 精度 恶化 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，具备：第1差动放大电路(A1)，具有施加第1输入电压的第1输入端子、施加第2输入电压的第2输入端子、第1输出端子以及第2输出端子；第1电容器(C1P)，具有与上述第1差动放大电路(A1)的第1输出端子耦合的第1端子，以及第2端子；第2电容器(C1N)，具有与上述第1差动放大电路(A1)的第2输出端子耦合的第1端子，以及第2端子；第1开关(S2P)，具有与上述第1电容器(C1P)的第2端子耦合的第1端子，以及施加规定电压的第2端子，上述第1开关(S2P)用来切换上述第1端子以及上述第2端子的连接以及非连接；第2开关(S2N)，具有与上述第2电容器(C1N)的第2端子耦合的第1端子，以及施加规定电压的第2端子，上述第2开关(S2N)用来切换上述第1端子以及上述第2端子的连接以及非连接；第3电容器(CZ1)，具有与上述第1电容器(C1P)的第2端子耦合的第1端子，以及与上述第2电容器(C1N)的第2端子耦合的第2端子；以及闩锁电路(U1)，通过对经由上述第1电容器(C1P)从上述第1差动放大电路(A1)的第1输出端子接收到的电压以及经由上述第2电容器(C1N)从上述第1差动放大电路(A1)的第2输出端子接收到的电压进行比较，输出表示上述第1输入电压以及上述第2输入电压的比较结果的数字信号。
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