[发明专利]固体摄像元件、光检测器和使用它的认证装置有效
申请号: | 200710300949.3 | 申请日: | 2007-12-14 |
公开(公告)号: | CN101207161A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 昆野康隆;植木广则 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/0232;H01L27/146;G06K9/20;H04L9/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种固体摄像元件、光检测器和使用它的认证装置。提高固体摄像元件和用它的光检测器的检测灵敏度。提供搭载提高了检测灵敏度的光检测器的认证装置。在固体摄像元件中,夹着光电变换单元在两侧设置反射层,并且在配置在光入射侧的第1反射层(121)上设置光入口(128),并且在与其对应的位置上设置聚光单元(122)。又在光电变换单元和第2反射层(120)之间,设置透明层(136)。优选的是作为第2反射层(120)的形状,采用入射到2个反射层之间的光不流出到外部的构造。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 元件 检测器 使用 认证 装置 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像元件,其特征在于,备有:由入射的光产生电子的光电变换层;配置在上述光电变换层的光入射侧,实质上透明的第1电极;在上述光电变换层的与上述光入射侧相反的一侧上与上述第1电极相对置地配置,检测在上述光电变换层中产生的电子的实质上透明的第2电极;与上述第1电极相接而配置在上述光入射侧,在与上述第1电极相接的面上具有反射面的第1反射层;配置在上述第2电极的与上述光入射侧相反的一侧上,在与上述第2电极相对置的面上具有反射面的第2反射层;和配置在上述第1电极和第1反射层之间,和/或上述第2电极和第2反射层之间的透明层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710300949.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:在土壤中产生钻孔的方法和装置
- 下一篇:屈大麻酚治疗偏头痛
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的