[发明专利]存储器结构及其操作方法有效
| 申请号： | 200710199737.0 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101202108A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;薛铭祥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器的操作方法，用以使存储器具有第一阈值电压或第二阈值电压，方法包括：对存储器的栅极施加一操作电压，操作电压持续一第一时段，使存储器具有该第一阈值电压；以及，对存储器的栅极施加相同的操作电压，操作电压持续一第二时段，使存储器具有第二阈值电压。第一时段的长度与第二时段的长度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的操作方法，用以使一存储器结构具有一第一阈值电压或一第二阈值电压，该方法包括：(a)当该存储器结构具有一第一阈值电压时，对该存储器结构的栅极施加一操作电压，该操作电压持续一第一时段，使该存储器结构具有该第二阈值电压；(b)当该存储器结构具有一第二阈值电压时，对该存储器结构的栅极施加相同的该操作电压，该操作电压持续一第二时段，使该存储器结构具有该第一阈值电压，该第一时段的长度与该第二时段的长度不同。
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