[发明专利]像素结构、薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200710193362.7 | 申请日： | 2007-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101174651A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡东璋;陈静茹 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种像素结构、薄膜晶体管及其制作方法，薄膜晶体管适于配置在一基板上，包括一栅极、一栅绝缘层、一环状源极、一漏极以及一半导体层。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置于基板上以覆盖栅极。环状源极配置于栅绝缘层上。漏极配置于栅绝缘层上，且漏极为环状源极所环绕。半导体层配置于栅极上方，其中半导体层至少覆盖位于环状源极与漏极之间的栅绝缘层。具有上述薄膜晶体管结构的像素电极被驱动时，其具有较低的耗电量。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，适于配置在一基板上，其特征在于，所述的薄膜晶体管包括：一栅极，配置于所述的基板上；一栅绝缘层，配置于所述的基板上以覆盖所述的栅极；一环状源极，配置于所述的栅绝缘层上；一漏极，配置于所述的栅绝缘层上，且所述的漏极为所述的环状源极所环绕；以及一半导体层，配置于所述的栅极上方，其中所述的半导体层至少覆盖位于所述的环状源极与所述的漏极之间的所述的栅绝缘层。
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