[发明专利]微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构及生产方法有效
| 申请号： | 200710191981.2 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101217159A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 傅义珠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构及其生产方法，其结构是有源区分为两个近邻的区域，发射极镇流电阻置于两个有源区之间，发射极和基极电极采用双层金属布线引出，两个有源区共用一个镇流电阻。优点：将有源区分为两个近邻的区域，将发射极镇流电阻置于两个有源区之间，发射极和基极电极采用双层金属布线引出。使两个有源区对同一个镇流电阻有充分的热耦合，使镇流电阻值随着温度升高而增加的幅度变大，增加附加镇流效果，实现动态镇流。共用一个镇流电阻，减小镇流电阻的寄生电容和芯片面积。增加有源区散热边界，降低热阻。同等功率和镇流电阻的芯片，峰值结温下降15℃－20℃。满足微波功率晶体管对微波性能和可靠性的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 功率 晶体管 动态 发射极 流电 结构 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构，其特征在于，有源区分为两个近邻的区域，发射极镇流电阻置于两个有源区之间，发射极和基极电极采用双层金属布线引出，两个有源区共用一个镇流电阻。
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