[发明专利]减小晶体管延伸电极电容的结构及制作方法有效
| 申请号： | 200710191980.8 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101217158A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 傅义珠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331;H01L21/266 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是减小晶体管延伸电极电容的结构及制作方法，其结构是在延伸电极和键合区下方制作一个与MOS电容串联的PN结电容。制作方法是在硅衬底上外延n型硅外延层；对裸露的硅外延表面进行离子注入掺杂；在通氧气条件下，生成氧化层；光刻并选择性腐蚀SiO2，露出基极掺杂窗口；在硅片表面依次淀积二氧化硅和氮化硅；光刻并选择刻蚀Si3N4和SiO2，露出发射极掺杂窗口，对发射区进行磷或砷离子注入掺杂，退火形成PN结；光刻并选择刻蚀Si3N4/SiO2，露出基极接触窗口；溅射金属膜；反刻形成金属电极，将硅片减薄，蒸发形成集电极。优点：减小延伸电极总电容，保持芯片表面较平坦，提高了芯片细线条的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 晶体管 延伸 电极 电容 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.减小晶体管延伸电极电容的结构，其特征是将在延伸电极和键合区下方制作一个与MOS电容串联的PN结，PN结也是一个电容，为结电容。
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