[发明专利]确定评估时间或读取电荷电势与读取判定电压之差的方法无效
| 申请号： | 200710182163.6 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101159167A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | L·克里帕;R·拉瓦西奥;R·米彻洛尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司;海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢江;王小衡 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 针对单个存储设备通过以下方式来设置NAND存储阵列的单元的编程或擦除状态的评估时间(Teval)或读取充电电压(V1)和读取判定电压(V2)之差，即在这些设备的大量生产制造过程中至少部分地补偿阵列位线的寄生电容值的大的散布。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 评估 时间 读取 电荷 电势 判定 电压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种确定非易失性NAND存储设备的单元行和列阵列的单元的编程或擦除状态的评估时间(Teval)的方法，其中该单元通过能以特定的读取电压电平充电的字线和位线单独可寻址，从以读取充电电压(V1)对所述单元的位线进行充电的时刻开始经过该评估时间，检测电路评定该单元的状态以便在存储设备的输出端上产生特定的读取数据，该方法包括以下步骤：在设备的晶片上测试阶段(EWS)期间或者重复地在完成的存储设备的操作期间只此一次地根据至少位线的所述读取充电电压(V1)、读取判定电压(V2)和通过单元的特定的放电电流(Icell)确定每个存储设备的所述评估时间(Teval)。
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