[发明专利]确定评估时间或读取电荷电势与读取判定电压之差的方法

权利要求书

1.一种确定非易失性NAND存储设备的单元行和列阵列的单元的编程或擦除状态的评估时间(Teval)的方法，其中该单元通过能以特定的读取电压电平充电的字线和位线单独可寻址，从以读取充电电压(V1)对所述单元的位线进行充电的时刻开始经过该评估时间，检测电路评定该单元的状态以便在存储设备的输出端上产生特定的读取数据，该方法包括以下步骤：在设备的晶片上测试阶段(EWS)期间或者重复地在完成的存储设备的操作期间只此一次地根据至少位线的所述读取充电电压(V1)、读取判定电压(V2)和通过单元的特定的放电电流(Icell)确定每个存储设备的所述评估时间(Teval)。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于包括以下步骤：

通过测量存储阵列的多个预定义的位线的电容来确定存储阵列的单个位线的平均电容值(C_BL)；

根据位线的所述平均电容值(C_BL)确定每个存储设备的所述评估时间(Teval)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在从通电阶段中选择的存储设备的操作阶段和在擦除或编程或读取操作开始时确定所述评估时间(Teval)。

4.根据权利要求2所述的方法，包括以下步骤：

测量存储阵列的偶数或奇数个位线的总电容；

通过将所测量的电容除以并行地被充电到所述读取充电电压(V1)的偶数或奇数个位线的数量来确定位线的所述平均电容值(C_BL)。

5.如权利要求4的方法，包括以下步骤：

通过将存储阵列的所有偶数或所述奇数个位线与公用地线并联连接来使存储阵列的所有偶数或所述奇数个位线偏置；

通过经由辅助电阻(R3)将所述公用线与存储设备的电源干线连接来并行地对所述位线进行充电；

比较所述公用线上的电压与参考电压(V_REF)；

测量用于在所述公用线上达到等于所述参考电压(V_REF)的电压的所述位线的充电时间(T)；

根据所述辅助电阻(R3)的所述充电时间(T)和所述参考电压(V_REF)计算所述位线的总电容。

6.如权利要求4的方法，包括以下步骤：

通过将存储阵列的所有偶数或奇数个位线与公用地线并联连接来使存储阵列的所有偶数或奇数个位线偏置；

通过将所述公用线与特定的电流(I_EXT)的恒定电流发生器连接来并行地对所述位线进行充电；

比较所述公用线上的电压与参考电压(V_REF)；

测量用于在所述公用线上达到等于所述参考电压(V_REF)的电压的所述位线的充电时间(T)；

根据所述辅助电阻(R3)的所述充电时间(T)和所述参考电压(V_REF)计算所述位线的总电容。

7.如权利要求3的方法，其中所述存储设备包括附加的虚拟位线存储单元，该方法包括以下步骤：

以所述读取充电电压(V1)使所述虚拟位线中的至少一个偏置；

以所述特定的预先确定的放电电流(Icell)对所述虚拟位线进行放电；

通过测量所述虚拟位线从所述读取充电电压(V1)放电到所述读取判定电压电平(V2)所需的时间来确定所述评估时间(Teval)。

8.一种确定非易失性NAND存储设备的单元行和列阵列的单元的编程或擦除状态的读取充电电压(V1)和读取判定电压(V2)之差的方法，其中该单元通过能以特定的读取电压电平充电的字线和位线单独可寻址，该存储设备包括检测电路，该检测电路适于在从以读取充电电压(V1)对所述单元的位线进行充电的时刻开始经过评估时间(Teval)时评定单元的状态，以便在存储设备的输出端上产生特定的读取数据，该方法包括确定每个存储设备的所述评估时间(Teval)的步骤，

其特征在于，该方法包括在设备的晶片上测试阶段(EWS)期间或者重复地在完成的存储设备的操作期间只此一次地根据所述评估时间(Teval)和通过单元的特定的放电电流(Icell)确定读取充电电压(V1)和读取判定电压(V2)之间的所述电压差(V1-V2)的步骤。