[发明专利]磁记录介质、磁记录装置和制造磁记录介质的方法无效
| 申请号： | 200710181323.5 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101192418A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 乡家隆志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/64;G11B5/73 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了磁记录介质、磁记录装置以及制造磁记录介质的方法。本发明涉及以磁的方式记录信息的磁记录介质等。该磁记录介质通过减小记录层和衬层之间的距离，在保持低噪声性能的同时提高了写入性能。该磁记录介质具有非磁性基板、形成在该非磁性基板上的衬层、形成在该衬层上的底层、形成在该底层上的中间层；以及形成在该中间层上并具有垂直磁各向异性的记录层。所述中间层包括以如下方式被形成为膜层的两层或更多层，即该两层或更多层中的上层与位于该上层下面的层相比具有更厚的膜厚度以及更高的形成层的气压。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，该磁记录介质包括：非磁性基板；形成在该非磁性基板上的衬层；形成在该衬层上的底层；形成在该底层上的中间层；以及形成在该中间层上并具有垂直磁各向异性的记录层；其中，所述中间层包括以如下方式被形成为膜层的两层或更多层，即该两层或更多层中的上层与位于该上层下面的层相比具有更厚的膜厚度以及更高的形成层的气压。
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