[发明专利]磁记录介质、磁记录装置和制造磁记录介质的方法无效
申请号: | 200710181323.5 | 申请日: | 2007-10-19 |
公开(公告)号: | CN101192418A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 乡家隆志 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B5/64;G11B5/73 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及以磁的方式记录信息的磁记录介质、包括该磁记录介质的磁记录装置以及制造该磁记录介质的方法。
背景技术
随着面向信息的社会的发展,磁记录介质除了针对个人计算机和服务器的常规应用外,由于它们的高传输能力和存储容量,当前还被设置于车辆导航系统、便携式音乐播放器、HDD记录器、移动电话等中。为了进一步实现小型化并提高容量,需要进一步提高磁记录的记录密度。考虑到这种情况,为了实现较高的记录密度,近些年来正在积极地进行垂直磁记录介质的研发,该垂直磁记录介质通过沿其厚度方向磁化磁记录介质来以磁的方式记录信息。
由于相邻记录位的退磁效应,垂直磁记录介质的优点在于记录密度越高,磁化就越稳定。从而,还增强了对于热波动的耐性。此外,在一些情况下,还在该垂直磁记录介质上形成含有硬磁性材料的衬层(backinglayer)。虽然即使不设置衬层也可以进行记录和重放,但是磁头和衬层的组合使得在进行记录时由磁头产生的磁场与用于面内(in-plane)记录的常规磁头相比被明显放大为约1.3倍或更多。因此可以向垂直磁记录介质施加比向面内磁记录介质更高的矫顽力。此外,由于衬层急剧地引入磁头产生的磁场(磁通),因此该衬层也具有这样的效果,即磁力梯度变小并减轻信号写入发散的影响。
因此,垂直磁记录介质在许多方面优于面内磁记录介质。然而,对于垂直磁记录介质来说,也必须要降低噪音以实现更高的记录密度。为了实现这一点,必须降低记录层的易磁化轴的取向分散(orientationdispersion)。公知的是,在所述衬层上以如下顺序形成包括Ta、W、Mo等的非晶层的底层、具有Fe、Ni、Pd或Ag等的面心立方结构的层以及具有Ru、Re等的密排立方结构的中间层,可有效抑制取向分散。还公知的是,抑制效果随着各层厚度的增加而提高。日本特开第2005-353256号提出了一种磁记录介质,在该磁记录介质中,中间层由两层构成,并且那两层的底层由岛状的金属材料构成。利用在日本特开第2005-353256号中提出的结构形成中间层可有效降低介质噪声。
然而,在日本特开第2005-353256号中提出的中间层的情况中,中间层的厚度增加,从而记录层和衬层之间的距离也增加。当记录层和衬层之间的距离变大时,由记录头产生的磁场的梯度的陡度被损失。结果,出现了写入性能明显劣化的问题,该写入性能代表磁记录介质接受信息记录的能力,并且相反地,该中间层存在妨碍实现高记录密度的风险。
发明内容
考虑到上述情形提出本发明,本发明提供了在保持低噪声性能的同时减小记录层和衬层之间的距离的磁记录介质、包括该磁记录介质的磁记录装置以及制造该磁记录介质的方法。
根据本发明的磁记录介质具有非磁性基板、形成在该非磁性基板上的衬层、形成在该衬层上的底层、形成在底层上的中间层;以及形成在该中间层上并具有垂直磁各向异性的记录层,其中,该中间层包括以如下方式被形成为膜层的两层或更多层,即该两层或更多层中的上层与该上层以下的层相比具有更厚的膜厚度以及更高的形成层的气压。
在日本特开第2005-353256号中提出的磁记录介质的情况中,尽管中间层(在日本特开第2005-353256号中被称为“底层”)由两个Ru层构成并且规定了形成每一层时的气压和淀积速率,但是这两层的厚度不同。此外,在日本特开第2005-353256号的情况中,很难在规定的沉积速率下实现大规模的生产。相反,根据本发明的磁记录介质,由于中间层包括以如下方式被形成为膜层的两层或更多层,即该两层或更多层中的上层与该上层以下的层相比具有更厚的膜厚度以及更高的形成该层的气压,如后面在实施方式部分中详细说明的,中间层的整体厚度变薄,从而可以在保持低噪声性能的同时减小记录层和衬层之间的距离。
在这种情况下,在本发明的磁记录介质中,优选的是,中间层所包括的两层或更多层都是具有密排六方结构的非磁性层。此外,优选的是,中间层所包括的两层或更多层中都是Ru层。
此外,在本发明的磁记录介质中,优选的是,所述底层是由具有面心立方结构的单层构成的层,并且该底层是Ni-Cr层。
根据本发明,可以改善中间层的结晶取向性。因此,可以从该底层省略作为所述中间层的基底的Ta、W、Mo等的非晶层,并且底层可以被设置为Fe、Ni、Pd或Ag等的具有面心立方结构的单层。因此,当采用底层仅由一层构成的结构时,可以进一步缩小记录层和衬层之间的距离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710181323.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双极性电池及其制造方法
- 下一篇:车辆用一体化消毒/通风系统