[发明专利]嵌入纳米晶颗粒的非挥发电阻转变型存储器无效
| 申请号： | 200710176283.5 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101420012A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 管伟华;刘明;龙世兵;贾锐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子器件及存储器技术领域，公开了一种基于二元过渡族金属氧化物的嵌入纳米晶颗粒的非挥发电阻转变型存储器，该存储器包括：上导电电极层与下导电电极层；包含在上导电电极层与下导电电极层之间的二元过渡族金属氧化物薄膜；在二元过渡族金属氧化物薄膜中嵌入的纳米晶颗粒。利用本发明，器件的加工工艺与传统CMOS工艺兼容，可以极大的提高器件的产率，为器件的大规模集成打下基础。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入 纳米 颗粒 挥发 电阻 转变 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种基于二元过渡族金属氧化物的嵌入纳米晶颗粒的非挥发电阻转变型存储器，其特征在于，该存储器包括：上导电电极层与下导电电极层；包含在上导电电极层与下导电电极层之间的二元过渡族金属氧化物薄膜；在二元过渡族金属氧化物薄膜中嵌入的纳米晶颗粒。
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