[发明专利]纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法

摘要

本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下方的衬底电阻相对于梁中性面不对称，可以作为力敏电阻用于纳米梁的弯曲的测量。由于形成强反型层后，空间电荷区达到最大深度，MOS电容衬底力敏电阻的阻值不随栅极电压变化而变化，避免了现有的MOS沟道压阻结构中因负反馈引起的灵敏度下降，并且抗干扰能力强。提供的MOS电容衬底压阻结构也避免了纳米梁上制作力敏电阻所必需解决的重掺杂浅结制作难题。

主权项

1、纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构，其特征在于纳米梁两端分别与锚点连接，且在y方向或z方向自由振动；在纳米梁和压焊块下制作有掺杂区，掺杂区为P型或N型；栅极、栅氧化层以及栅氧化层下的掺杂区形成MOS电容，栅极通过金属引线实现电学引出；纳米梁两端掺杂区分别制作电极实现纳米梁的电学引出。