[发明专利]纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法

权利要求书

1、纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构，其特征在于纳米梁两端分别与锚点连接，且在y方向或z方向自由振动；在纳米梁和压焊块下制作有掺杂区，掺杂区为P型或N型；栅极、栅氧化层以及栅氧化层下的掺杂区形成MOS电容，栅极通过金属引线实现电学引出；纳米梁两端掺杂区分别制作电极实现纳米梁的电学引出。

2、按权利要求1所述的纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构，其特征在于所述的栅极采用浮栅结构，MOS电容的栅极没有引线与外界连接，所述的压阻结构仅有2根引线，为2端器件。

3、按权利要求1所述的纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构，其特征在于在栅极氧层中引入氧化层固定电荷和氧化层陷阱电荷，省略栅极，足够电荷量在栅极氧化层下感应形成强反型层。

4、按权利要求1所述的纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构，其特征在于在栅氧化层上制作一薄的绝缘层，在绝缘层与栅氧化层间的界面电荷，足以在氧化层下感应出强反型层。

5、按权利要去1所述的纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构，其特征在于所述的纳米梁为双端固支梁、悬臂梁或V型梁。

6、按权利要求1所述的纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构，其特征在于所述的纳米梁的宽度大于厚度，纳米梁的基频振动方向沿z方向；所述的纳米梁的材料为具有压阻特性的硅或锗。

7、按权利要求1、3或4所述的纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构，其特征在于栅氧化层、栅极与纳米梁的宽度相同，或栅氧化层与栅极的宽度大于栅氧化层下的掺杂区的宽度，小于梁的宽度。

8、使用如权利要求1-4中的任一项所述的纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构对纳米梁弯曲的检测方法，其特征在于在MOS电容上施加电压，使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区，利用MOS电容栅氧化层下的空间电荷区改变称底电阻相对于中性面的对称性，利用空间电荷区下的称底电阻作为力敏电阻，实现纳米梁的弯曲测定。

9、按权利要求8所述的纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构的检测方法，其特征在于所述MOS电容称底力敏电阻的阻值为：

Rs=ρLW(h-hC-hD)]]>

式中ρ为掺杂区的电阻率，L和W为空间电荷区的长度和宽度，h为纳米梁的厚度，h_C为强反型层厚度，h_D为空间电荷区的厚度。

10、按权利要求8所述的纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构的检测方法，其特征在于所述的空间电荷区的最大电荷由纳米梁的掺杂浓度决定。

11、按权利要求10所述的纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构的检测方法，其特征在于纳米梁上的掺杂类型是相同的。

12、按权利要求8所述的纳米梁上的MOS电容衬底的压阻结构的检测方法，其特征在于对P型掺杂的纳米梁强反型层为N型；对N型掺杂的纳米梁强反型层为P型。