[发明专利]半导体器件离子注入工艺的优化方法有效
| 申请号： | 200710172406.8 | 申请日： | 2007-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101465272A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 居建华;余兴;仇志军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件离子注入工艺的优化方法，该方法采用材料芯片实验方法，对半导体制程中离子注入工艺条件进行优化，可以加速器件开发速度和节省晶片数量。该方法包括：在晶片上覆盖光刻胶；选择实验区域进行第一次注入区域的选择性曝光和显影；在所述被暴露区域进行第一次离子注入；去除光刻胶；在所述晶片上的实验区域覆盖光刻胶；进行第二次注入区域的选择性曝光和显影；在所述被暴露区域进行第二次离子注入；去除光刻胶；依此，进行需要的第N次离子注入，获得若干组注入条件不同的芯片组，通过收集性能参数优化离子注入工艺条件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 离子 注入 工艺 优化 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体离子注入工艺的优化方法，包括如下步骤：在晶片上或选定实验区域覆盖光刻胶；进行第一次注入区域的选择性曝光和显影；在显影后被暴露的区域进行第一次离子注入；去除光刻胶；在所述晶片上或选定实验区域再覆盖光刻胶；进行第二次注入区域的选择性曝光和显影；在显影后被暴露的区域进行第二次离子注入；去除光刻胶；依此，进行需要的第N次离子注入，获得若干组注入条件不同的芯片组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
