[发明专利]二硼化锆基梯度材料及其原位反应的制备方法

摘要

本发明涉及一种二硼化锆基梯度材料和原位反应的制备方法。所述的ZrB₂基梯度材料一端为ZrB₂/SiC复合材料；另一端为(Zr，Hf)B₂/SiC或者HfB₂/SiC复合材料它是以低成本的普通微米级商用粉体为原料，混合均匀后采用放电等离子烧结方法进行快速烧结，烧结温度为1400～1550℃；升温速率范围为80～200℃/min；烧结压力范围为10～100MPa；保温时间范围为3～10min。利用原料反应放热及反应合成得到的新生成相的高活性，无需添加烧结助剂，即可制备出致密且具有良好的高温性能的ZrB₂基梯度材料。所制备的材料具有更高的热导率、更高的力学性能与更优的抗氧化性能。制备周期短、能耗低、环境友好，具有良好的产业化前景。

主权项

1.一种二硼化锆基梯度材料，其特征在于所述的二硼化锆基梯度材料一端是ZrB2-SiC，另一端为(Zr，Hf)B2-SiC或HfB2-SiC，中间至少一层，满足化学式：2(100-x)Zr+2xHf+B4C+Si→2(100-x)ZrB2+2xHfB2+SiC，0≤x≤100。