[发明专利]一种PSM与利用PSM的曝光机台焦距校准方法及其系统无效
申请号: | 200710171855.0 | 申请日: | 2007-12-06 |
公开(公告)号: | CN101452202A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 余云初;张轲;郁志芳;苏少明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 罗 朋 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种PSM与利用PSM的曝光机台焦距校准方法及装置,涉及半导体曝光工艺领域,所述PSM包括多个由透光材料制成的透光区域,其中至少两个透光区域具有预定的光程差;多个由非透光材料制成的框。其中,所述曝光图案包括与所述多个框对应的多个图案。本发明根据所述多个框的相互位置关系与所检测的多个图案的相位位置关系,来控制对所述曝光机台的焦距进行调节。本发明校准精度高,而且操作简单,提高了生产效率,节省了时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 psm 利用 曝光 机台 焦距 校准 方法 及其 系统 | ||
【主权项】:
1. 一种用于半导体曝光机台焦距校准的相偏移光罩,其特征在于,包括:多个由透光材料制成的透光区域,其中至少两个透光区域具有预定的光程差;多个由非透光材料制成的框,所述每个框的内外边界分别与所述多个透光区域中任两个相邻或相接,其中,其中至少两个框被放置为,使得当利用该光罩进行曝光时,所得的与所述至少两个框相应的曝光图案随曝光机台焦距变化而产生的偏移方向不一致。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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