[发明专利]使用保护薄膜来形成大马士革结构的方法有效
| 申请号： | 200710170221.3 | 申请日： | 2007-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101207073A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李伟健;黄武松 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于在大马士革处理中形成特征的方法。根据该方法，在电介质层形成过孔并且接着用一高分子量聚合物层来覆盖该过孔。该高分子量聚合物覆盖该过孔但是不进入过孔。接着一沟槽被蚀刻穿过该高分子量聚合物和电介质层。接着，去除任何剩余的高分子量聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 保护 薄膜 形成 大马士革 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在大马士革处理中形成特征的方法，所述方法包括步骤：(a)提供其上具有电介质层的半导体晶片；(b)在所述电介质层中形成过孔；(c)在所述电介质层上方施加一高分子量聚合物层，所述高分子量层覆盖所述过孔但是不进入所述过孔；(d)对所述高分子量层施加光刻胶材料；(e)对所述光刻胶材料进行构图以在所述高分子量层的部分上方暴露开口；(f)通过所述开口蚀刻所述高分子量层和电介质层以形成沟槽；以及(g)从所述电介质材料去除残留的光刻胶和高分子量层以在所述电介质材料中形成双大马士革开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
