[发明专利]光学常数计算方法和基板处理系统无效
| 申请号： | 200710167543.2 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101179042A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 菊池俊彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够计算基底膜的正确的光学常数，从而能够正确地对晶片的表面构造进行确定的光学常数计算方法。在晶片(W)上将各膜叠层后，对在下方成膜有有机绝缘膜(32)的氧化膜(33)的反射率进行测定，并对通过等离子体将氧化膜(33)除去后露出的有机绝缘膜(32)的反射率进行测定，根据这些反射率计算因加热处理而变质的有机绝缘膜(32)的光学常数和因等离子体而变质的有机绝缘膜(32)的光学常数。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 常数 计算方法 处理 系统 | ||
【主权项】：
1.一种光学常数计算方法，其用于计算以下基板的各膜的光学常数，该基板叠层有多个膜，该多个膜中的至少一个基底膜在叠层时光学常数发生变化，所述光学常数计算方法的特征在于：在所述多个膜被叠层后，在将所述各膜除去并露出该各膜的基底膜时，计算该露出的基底膜的光学常数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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