[发明专利]发光二极管

摘要

本发明提供一种AlGaInP系结构的、能够减小发光亮度的降低、低功耗化且能获得高可靠性的发光二极管。该发光二极管(10)设有在GaAs基板(1)上形成的发光部(4)、由AlGaInP组成的中间层(5)及电流扩散层(6)。发光部4的结构是在GaAs基板(1)上依次形成由AlGaInP组成的下部包覆层(41)、由AlGaInP组成的发光层(42)以及上部包覆层(43)。使发光部(4)的各层中所含氢的浓度为2×10¹⁷cm^－3以下、碳的浓度为2×10¹⁶cm^－3以下及氧的浓度为2×10¹⁶cm^－3以下，进而使电流扩散层6的部分或全部区域中的氢的浓度为5×10¹⁷cm^－3以下、碳的浓度为5×10¹⁷cm^－3以下及氧的浓度为2×10¹⁶cm^－3以下。

主权项

1.一种发光二极管，其特征是：该发光二极管具有：第1导电型的GaAs基板；由从第1导电型的Alx0Ga1-x0As中选出的至少2种Al组成不同的材料构成的布喇格反射层；由第1导电型的(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1P构成的下部包覆层；由(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P构成的多重量子阱结构的发光层；由第2导电型的(Alx3Ga1-x3)y3In1-y3P构成的上部包覆层；含有第2导电型的GaP层的电流扩散层，其中，所述下部包覆层、所述发光层以及所述上部包覆层各层所含的氢的浓度为2×1017cm-3以下、碳的浓度为2×1016cm-3以下、氧的浓度为2×1016cm-3 以下，所述电流扩散层的部分或全部区域中的氢的浓度为5×1017cm-3以下、碳的浓度为5×1017cm-3以下、氧的浓度为2×1016cm-3以下，其中，0≤x0≤1，0≤x1≤1，0.4≤y1≤0.6，0≤x2≤1，0.4≤y2≤0.6，0≤x3≤1，0.4≤y3≤0.6。