[发明专利]像素结构及其制造方法有效
| 申请号: | 200710161942.8 | 申请日: | 2007-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN101136376A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
| 发明(设计)人: | 施明宏;陈士钦 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明是关于一种像素结构的制造方法。提供已依序形成有遮光层与平坦层的基板。在平坦层上依序形成半导体层与第一金属层。进行第一道光罩制造工艺,以图案化第一金属层与半导体层,而定义出源极、漏极、通道层、数据线与第一焊垫,其中通道层连结源极与漏极,数据线连结源极与第一焊垫。在基板上依序形成门介电层、第二金属层与保护层。进行第二道光罩制造工艺,以图案化保护层、第二金属层与门介电层,而定义出栅极、扫描线与第二焊垫,且暴露出部分漏极,其中栅极与通道层重叠,且扫描线连结栅极与第二焊垫。在基板上形成透明导电层。进行第三道光罩制造工艺,图案化此透明导电层,以定义出像素电极,其中像素电极与暴露出的漏极电性连接。 | ||
| 搜索关键词: | 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构的制造方法,包括:提供一基板,所述的基板上已形成有一遮光层,且所述的遮光层上覆盖有一平坦层;在所述的平坦层上依序形成一半导体层与一第一金属层;图案化所述的第一金属层与所述的半导体层,而定义出一源极、一漏极、一通道层、一数据线与一第一焊垫,其中所述的通道层连结所述的源极与所述的漏极,所述的数据线连结所述的源极与所述的第一焊垫;在所述的基板上依序形成一门介电层、一第二金属层与一保护层;图案化所述的保护层、所述的第二金属层与所述的门介电层,而定义出一栅极、一扫描线与一第二焊垫,且暴露出部分所述的漏极,其中所述的栅极与所述的通道层重叠,且所述的扫描线连结所述的栅极与所述的第二焊垫;在所述的基板上形成一透明导电层;以及图案化所述的透明导电层,以定义出一像素电极,其中所述的像素电极与暴露出的所述的漏极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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