[发明专利]像素结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710161942.8 申请日: 2007-09-26
公开(公告)号: CN101136376A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 施明宏;陈士钦 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是关于一种像素结构的制造方法。提供已依序形成有遮光层与平坦层的基板。在平坦层上依序形成半导体层与第一金属层。进行第一道光罩制造工艺,以图案化第一金属层与半导体层,而定义出源极、漏极、通道层、数据线与第一焊垫,其中通道层连结源极与漏极,数据线连结源极与第一焊垫。在基板上依序形成门介电层、第二金属层与保护层。进行第二道光罩制造工艺,以图案化保护层、第二金属层与门介电层,而定义出栅极、扫描线与第二焊垫,且暴露出部分漏极,其中栅极与通道层重叠,且扫描线连结栅极与第二焊垫。在基板上形成透明导电层。进行第三道光罩制造工艺,图案化此透明导电层,以定义出像素电极,其中像素电极与暴露出的漏极电性连接。
搜索关键词: 像素 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种像素结构的制造方法,包括:提供一基板,所述的基板上已形成有一遮光层,且所述的遮光层上覆盖有一平坦层;在所述的平坦层上依序形成一半导体层与一第一金属层;图案化所述的第一金属层与所述的半导体层,而定义出一源极、一漏极、一通道层、一数据线与一第一焊垫,其中所述的通道层连结所述的源极与所述的漏极,所述的数据线连结所述的源极与所述的第一焊垫;在所述的基板上依序形成一门介电层、一第二金属层与一保护层;图案化所述的保护层、所述的第二金属层与所述的门介电层,而定义出一栅极、一扫描线与一第二焊垫,且暴露出部分所述的漏极,其中所述的栅极与所述的通道层重叠,且所述的扫描线连结所述的栅极与所述的第二焊垫;在所述的基板上形成一透明导电层;以及图案化所述的透明导电层,以定义出一像素电极,其中所述的像素电极与暴露出的所述的漏极电性连接。
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